Гонка за освоение техпроцессов тоньше 2 нм выходит на новый этап. Ключевым инструментом для перехода к нормам 1,4 нм становятся литографические системы класса High-NA EUV с повышенной числовой апертурой 0,55. Однако крупнейший контрактный производитель микросхем — TSMC — на текущем этапе не входит в число первых получателей этих установок. Инициативу перехватывают конкуренты, включая Intel и Samsung Electronics.
Ситуация выглядит необычно: компания, которая долгие годы задавала темп отрасли, рискует перейти к следующему поколению литографии позже соперников.
Кто получает High-NA EUV первым
Единственным поставщиком оборудования для техпроцессов 1,4 нм остаётся нидерландская ASML. Речь идёт о системе Twinscan EXE:5200B — первом поколении сканеров High-NA EUV. Стоимость одной такой установки достигает примерно 380 млн долларов, что делает её самым дорогим литографическим инструментом в истории отрасли.
По данным отраслевых источников, первыми внедрять новое оборудование будут Intel, Samsung и SK hynix. Массовое производство с использованием High-NA EUV прогнозируется на 2027–2028 годы.
TSMC при этом занимает выжидательную позицию. Формально компания не отказывается от технологии, но и не подтверждает скорое внедрение. Экономическая эффективность и производительность новой платформы по сравнению с EUV-системами NA 0,33 пока остаются предметом оценки.
Почему High-NA EUV важна для 1,4 нм
Повышение числовой апертуры с 0,33 до 0,55 позволяет формировать элементы меньшего размера за один проход экспонирования. Если стандартная EUV-литография обеспечивает рисунок порядка 13 нм за экспозицию, то High-NA EUV снижает этот показатель примерно до 8 нм.
Это открывает путь к:
- логическим микросхемам поколения 1,4 нм;
- DRAM-памяти с нормами менее 10 нм;
- сокращению количества экспозиционных этапов;
- улучшению точности формирования рисунка.
Однако внедрение нового оборудования требует комплексной модернизации фабрик: от фотошаблонов до систем травления и метрологии.
Intel: попытка вернуть технологическое лидерство
Для Intel переход к High-NA EUV имеет стратегическое значение. Компания уже развернула систему Twinscan EXE:5200B и планирует использовать её для техпроцесса 14A, который, по отраслевой логике наименования, соответствует уровню 1,4 нм.
Важно учитывать контекст: с 2019 года Intel серьёзно отставала в освоении передовых норм, уступив инициативу TSMC и другим производителям. Сейчас компания пытается изменить ситуацию, инвестируя в собственное производство и передовые литографические технологии.
Одновременно Intel оптимизирует сопутствующие процессы — маски, травление, методы повышения разрешения — поскольку эффективность High-NA EUV зависит от синхронной настройки всей технологической цепочки.
Samsung и SK hynix: ускорение в Южной Корее
Samsung также активно интегрирует новое оборудование. Первый High-NA-сканер компания получила в конце 2025 года, второй ожидается в первой половине 2026 года. Предполагается, что установки будут задействованы как на 2-нм линиях, так и в дальнейшей перспективе для более тонких норм.
Среди потенциальных продуктов — мобильные процессоры семейства Exynos и контрактные проекты, включая решения для автомобильного и ИИ-сегмента.
SK hynix, ориентированная на производство памяти, начала интеграцию High-NA EUV ещё раньше. Для DRAM-памяти увеличение числа EUV-слоёв становится критически важным при переходе к шестому поколению 10-нм класса.
Японский фактор: ставка на Rapidus
В борьбу за технологии суб-2-нм включается и Япония. Стартап Rapidus при поддержке государства развивает производство в городе Титосэ. Компания намерена сначала освоить 2-нм нормы, а затем перейти к 1,4 нм ближе к 2029 году.
Планируется создание исследовательского центра, который будет работать с оборудованием High-NA EUV и сосредоточится на разработке новых материалов и процессов. Это часть более широкой стратегии по возвращению Японии в число лидеров полупроводниковой индустрии.
Почему TSMC не спешит
Несмотря на лидерство по доле рынка и сотрудничество с такими клиентами, как Apple, AMD, Nvidia и Qualcomm, TSMC может придерживаться прагматичного подхода.
Причины возможной осторожности:
- Стоимость оборудования — инвестиции в сотни миллионов долларов на одну систему.
- Неопределённость по производительности — High-NA EUV пока не доказала экономическое превосходство над текущими EUV-решениями.
- Отладка процессов — переход требует глубокой перестройки производственной инфраструктуры.
- Экономика спроса — не все клиенты готовы оплачивать рост себестоимости 1,4-нм продукции.
TSMC уже освоила 2-нм техпроцесс и может временно удерживать конкурентные позиции за счёт оптимизации существующих EUV-линий.
Ситуация вокруг High-NA EUV демонстрирует редкий момент в истории отрасли, когда технологический лидер занимает выжидательную позицию, а конкуренты стремятся первыми внедрить дорогостоящую и ещё не полностью проверенную платформу.
Intel и Samsung рассматривают High-NA EUV как возможность изменить расстановку сил. SK hynix делает ставку на память нового поколения. Rapidus строит долгосрочную стратегию.
Для TSMC выбор между осторожностью и агрессивным внедрением может стать определяющим в гонке за 1,4-нм техпроцесс. Ближайшие два-три года покажут, окажется ли её позиция стратегически выверенной или позволит соперникам сократить технологический разрыв.
0 Комментарий(я)
Зарегистрируйтесь чтобы оставить комментарий